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超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性

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研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．

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来源
《半导体学报》 |1997年第4期|286-291|共6页
作者
郭维廉; 宋玉兴; M.A.Green; M.K.Morvvej-Farshi;
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作者单位

天津大学电子工程系;

澳大利亚新南威尔士大学电机系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
BICFET; 增益; 场效应晶体管; 多晶硅; 发射极;

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