多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析

摘要

本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。