...
机译:半添加铜电化学电镀中与布局有关的变化的建模和控制
MIT Microsyst Technol Labs Cambridge MA 02139 USA;
MIT Elect Engn & Comp Sci 77 Massachusetts Ave Cambridge MA 02139 USA;
Compact modeling; copper; electrochemical plating; fill patterns; packaging; plating; process modeling; RDLs; re-distribution layers; 2.5D integration;
机译:基于布局相关的铜沉积速率变化的电镀形貌模型
机译:通过时空控制平面内电化学势分布产生的影响金上铜梯度界面宽度的因素:电极几何形状和镀液成分
机译:印刷电路板硫酸铜电镀液中总有机碳控制的电化学方法-第二部分:整体系统
机译:在半添加铜电化学电镀中建模与图案相关的变化:AP / DFM:先进的图案/可制造性设计
机译:化学机械平面化(CMP)的芯片规模建模,用于取决于布局的变化。
机译:微囊藻物种对硫酸铜敏感性的物种依赖性变化:对铜的藻毒性和水华控制的影响
机译:使用电化学电镀的常规铜阵列的可控高度
机译:酸性硫酸铜电镀液中光亮剂的电化学控制。总结报告。