声明
第一章 绪 论
1.1 铜电沉积技术的发展历程与理论基础
1.2 铜电沉积技术在印制电路板中的应用
1.3 铜电沉积的添加剂体系
1.4 铜电沉积技术的研究方法
1.5 本文的选题依据与研究内容
第二章 整平剂VIBDGE的合成与性能研究
2.1 实验材料与方法
2.2 VIBDGE的结构表征
2.3 VIBDGE的量子化学参数和分子动力学吸附模拟
2.4 VIBDGE的电化学性能研究
2.5 VIBDGE在电镀铜中的应用
2.6 本章小结
第三章 含氮基团整平剂的合成与性能研究
3.1 实验材料与方法
3.2 含氮基团化合物的基本性质
3.3 含氮基团整平剂的结构表征
3.4 含氮基团整平剂在铜表面的吸附特性
3.5 含氮基团整平剂的量子化学参数
3.6 含氮基团整平剂的电化学性能
3.7 含氮基团整平剂在电镀铜中的应用
3.8 本章小结
第四章 对苯二酚在高速铜沉积中的机理与应用研究
4.1 实验材料与方法
4.2 对苯二酚在高速铜沉积中对铜结晶形貌的影响
4.3 对苯二酚的量子化学参数
4.4 对苯二酚在高速铜沉积中的机理研究
4.5 对苯二酚在高速电镀铜中的应用
4.6 本章小结
第五章 有机氧化-还原电对在铜电沉积中的机理和应用研究
5.1 实验材料与方法
5.2 蒽醌-2-磺酸钠的量子化学参数和吸附特性
5.3 蒽醌-2-磺酸钠的电化学性能
5.4 蒽醌-2-磺酸钠在电镀铜中的应用
5.5 本章小结
第六章 结论与展望
6.1 全文总结
6.2 展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
电子科技大学;