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机译:外部机械应力对集成E / D GaN HEMT的直流性能和可靠性的影响
GaN Department, Ampleon Netherlands B.V., Nijmegen, AV, The Netherlands;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Germany;
Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; Gallium nitride; Silicon nitride; HEMTs;
机译:电磁,射频和直流应力下AlGaN / GaN HEMT的可靠性研究
机译:具有GaN-on-SiC HEMT的无铅RF功率放大器的热机械可靠性和性能下降
机译:GaN沟道层厚度对复合AlGaN / GaN缓冲层GaN HEMT的DC和RF性能的影响
机译:DC和RF应力下100nm AlGaN / GaN Hemts的可靠性和失效分析
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
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