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Gate-level modeling of leakage current failure induced by total dose for the generation of worst-case test vectors

机译:由总剂量引起的漏电流故障的门级建模,用于生成最坏情况的测试向量

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摘要

A novel gate-level model has been developed for the automatic generation of worst-case test vectors for leakage current failure induced in CMOS devices by total dose.
机译:已经开发了一种新颖的门级模型,用于自动生成最坏情况的测试向量,以用于以总剂量在CMOS器件中引起的泄漏电流故障。

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