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机译:在高电阻率硅上制造的p沟道CCD中的质子辐射损伤
E.O. Lawrence Berkeley Nat. Lab., CA, USA;
silicon radiation detectors; charge-coupled devices; proton effects; nuclear electronics; proton radiation damage; p-channel CCD; high-resistivity silicon; silicon charge-coupled devices; charge transfer efficiency; dark current; radiation dose; radi;
机译:ASTRO-H卫星上X射线CCD摄像机的P通道CCD质子辐射损伤实验
机译:高性能P沟道CCD中的质子损伤效应
机译:高性能P沟道CCD中的质子损伤效应
机译:在高电阻率硅制造的P沟道CCD中质子辐射损伤
机译:分析高电阻率p通道CCD的光度和天文保真度。
机译:质子束写入结合电化学刻蚀法制备的硅基光子晶体
机译:在高电阻率硅制造的P沟道CCD中质子辐射损伤