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机译:在高电阻率硅制造的P沟道CCD中质子辐射损伤
C. Bebek; D. Groom; S. Holland; A. Karcher; W. Kolbe; J. Lee; M. Levi; N. Palaio; B. Turko; M. Uslenghi; A. Wagner; G. Wang;
机译:在高电阻率硅上制造的p沟道CCD中的质子辐射损伤
机译:ASTRO-H卫星上X射线CCD摄像机的P通道CCD质子辐射损伤实验
机译:高性能P沟道CCD中的质子损伤效应
机译:分析高电阻率p通道CCD的光度和天文保真度。
机译:质子束写入结合电化学刻蚀法制备的硅基光子晶体
机译:选择性重结晶以减少蓝宝石上的CMOS辐射硬化集成电路中的P沟道晶体管泄漏
机译:受到紫外线辐射影响的CCD探测器的破坏反转方法
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