机译:使用HFET晶体管的环形混合微波电压可变衰减器
Department of Electrical and Computer Engineering, Queen's University, Kingston, ON, Canada K7L 3N6;
Attenuator; common-gate transistor; power combiners; power splitters; variable attenuator;
机译:大功率微波应用中AlGaN / GaN金属绝缘体半导电异质结场效应晶体管的分析性能评估及其与常规HFET的比较
机译:电压可变衰减器覆盖250至4000 MHz
机译:使用相位抵消的电压可变衰减器MMIC
机译:AlGaN / GaN金属绝缘体半导体异质结构场效应晶体管(MISHFET)的分析漏电流模型:与用于大功率微波应用的常规HFET的比较研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:热损坏微波退火具有高效的能量转换用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管
机译:GaN基异质结构场效应晶体管(HFET)的技术和特性
机译:晶体管用作宽带电压可变时间延迟