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机译:CMOS工艺深n阱注入制造的传输线的特性
Advanced Technology Research and Development Center, Mitsubishi Electric Corporation, Hyogo 661-8661, Japan;
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS); coplanar waveguide; deep n-well implantation; microstrip line; silicon substrate; transmission line;
机译:使用CMOS工艺制造的850 nm Si光电二极管中的深N阱偏置的影响
机译:离子注入n阱上制造的4H-SiC(0001)p沟道MOSFET的控制特性
机译:采用CMOS互连技术制造的传输线
机译:离子注入n阱上制造的4H-SiC(0001)p沟道MOSFET的控制特性
机译:65 nm CMOS技术中毫米波/太赫兹电路耦合传输线的电磁建模。
机译:在CMOS芯片上进行替代性后处理以制造平面微电极阵列
机译:N阱CMOS工艺的设计,制造和特性。
机译:用于高级sEU硬sRam的p阱或N阱CmOs技术