机译:具有0.18- $ mu {{hbox {m}}} $ SiGe BiCMOS技术的集成了Wilkinson功率合成器的$ Q $频段四元件相控阵前端接收器
BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; microwave receivers; power combiners; BiCMOS; RF phase shifters; SiGe; channel-to-channel isolation; corporate-feed approach; frequency 30 GHz to 50 GHz; integrated Wilkinson power combiners; phased-array front-end receiver;
机译:具有0.18- $ mu {{hbox {m}}} $ SiGe BiCMOS技术的集成了Wilkinson功率合成器的$ Q $频段四元件相控阵前端接收器
机译:采用0.18- $ mu {hbox {m}} $ SiGe BiCMOS技术的X和Ku频段8元素相控阵接收器
机译:具有0.18-
机译:带有集成的Wilkinson耦合器的Q频段相位阵列前端,用于在SiGe BICMOS中结合线性功率
机译:微波和毫米波多频带功率放大器,功率结合网络和发射机前端在硅锗BICMOS技术
机译:采用0.35μmSiGe BiCMOS技术的阻抗匹配威尔金森功率分配器