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Institute of Microengineering École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Lausanne Switzerland;
Institute of Microengineering École Polytechnique;
HEMTs; Microwave oscillators; Microwave transistors; Temperature distribution;
机译:低噪声微波性能为30 nm Gainas MOS-HEMTS:与低噪音垫的比较
机译:Gan-On-Si Hemts用Si CMOS兼容金属化的低功率移动SOC中的功率放大器
机译:带有源极连接场板的InAs HEMT的评估,适用于高速和低功耗逻辑应用
机译:微波晶体管(HEMT)噪声表征的快速直接程序
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:低功耗微波HEMT $ LC $振荡器工作下来至1.4 k
机译:等离子体波导中低功率微波激发局部静电振荡的测量