...
机译:不同厚度的晶体SiC缓冲层对$ {rm MgB} _ {2} $薄膜超导性能和助焊剂钉扎机理的影响
Physics Department, Chungbuk National University, Cheongju, Korea|c|;
$J_{c}$ enhancement; ${rm MgB}_{2}$ films; Flux pinning; SiC-buffer layers;
机译:晶体SiC缓冲层上MgB_2薄膜的高场J_c特性增强和助焊剂钉扎机制
机译:MgB2层厚度对MgB2 / Ni多层薄膜超导性能的影响
机译:多层$ {rm MgB} _ {2} / {rm Ni} $薄膜的助焊剂固定特性
机译:超导MGB_2中的临界电流密度和磁通钉钉特性,但没有SIC掺杂
机译:化学掺杂对MgB2导线和散装样品的微观结构和超导性能的影响。
机译:从高纯度致密Mg-B靶沉积的高性能MgB2薄膜的微结构和超导性能
机译:不同厚度mgB2薄膜的内部磁通钉扎机制
机译:具有可变层厚度(后印刷)的(mx / YBa2Cu3O7-δy)N多层膜的超导特性。