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机译:本机NMOS触发的SCR具有更快的开启速度,可在0.13 / spl mu / m CMOS工艺中提供有效的ESD保护
CMOS integrated circuits; electrostatic discharge; integrated circuit reliability; leakage currents; nanotechnology; protection; thyristors; 0.13 micron; 1.2 V; NANSCR devices; charged device model; electrostatic discharge; gate leakage current; low voltage triggerin;
机译:采用虚拟门结构制造的SCR器件可提高开启速度,从而在CMOS技术中提供有效的ESD保护
机译:0.13 / spl mu / m逻辑CMOS工艺中的低功耗离散相位调制器的设计与分析
机译:0.18- / splμm/ m SiGe BiCMOS工艺中用于ESD保护设计的低泄漏深沟道二极管的特性
机译:原生NMOS触发SCR(NANSCR),可在0.13- / splμ/ m CMOS集成电路中提供ESD保护
机译:纳米级CMOS中的ESD保护问题。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:利用虚拟门结构实现片上EsD保护,提高衬底触发可控硅器件的导通速度