机译:TLP应力下集成VDMOS晶体管的坚固性
MOSFET; failure analysis; semiconductor device breakdown; thermal analysis; integrated VDMOS transistors; lateral n-p-n transistor; n-sinker contact; p-type junction termination; parasitic vertical bipolar; stress current; thermal failure current; transmission line;
机译:集成垂直DMOS晶体管在100ns TLP应力下的动力学
机译:TLP应力下VDMOSFET自保护的仿真与建模
机译:N沟道VDMOSFET晶体管的正偏应力和负偏应力的比较
机译:恢复处理对电应力功率VDMOS晶体管中的伽马辐射响应的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:辐射应力影响对P沟道功率VDMOS晶体管阈值电压影响的建模与PSPICE模拟
机译:开发坚固耐用的20瓦,2.3千兆赫晶体管