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机译:Al掺杂和金属盖层对铜纳米线电迁移迁移机理的影响
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan;
Al; Cu; alloy; drift velocity; electromigration; grain boundary; interconnect; metallic cap; reliability;
机译:Al掺杂对铜互连线电阻率和电迁移的影响分析
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机译:沿海边界层:减少陆上运输的模式,机制和生态效应。