机译:低栅场应力下高稳定度非晶硅薄膜晶体管的可靠性第二部分:制造条件和栅压依赖性的优化
Department of Electrical Engineering and Princeton Institute for the Science and Technology of Materials (PRISM), Princeton University, Princeton, NJ, USA;
Stability; a-Si TFTs; charge-trapping; defect-generation; two-stage model;
机译:低栅极应力下高稳定非晶硅薄膜晶体管的可靠性 - 第II部分:制造条件的优化和栅极电压依赖性
机译:低栅极应力下高稳定非晶硅薄膜晶体管的可靠性 - 第一部分:寿命预测的两阶段模型
机译:低栅场应力下高稳定度的非晶硅薄膜晶体管的可靠性-第一部分:寿命预测的两阶段模型
机译:低栅极场下高稳定性非晶硅薄膜晶体管寿命预测的两阶段模型
机译:用于低压逻辑应用的III-V隧道场效应晶体管的制造与表征。
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机译:通过干法制造技术优化低压有机薄膜晶体管中并五苯的生长