机译:CMOS VLSI电路的基于物理的单事件瞬态脉冲宽度模型
Vellore Inst Technol Sch Elect Engn Chennai 600127 Tamil Nadu India;
Vellore Inst Technol Sch Elect Engn Chennai 600127 Tamil Nadu India|Vellore Inst Technol Ctr Nanoelect & VLSI Design Chennai 600127 Tamil Nadu India;
CMOS inverter; double gate MOSFET; pulse width; heavy ion; radiation; single event transients; linear energy transfer;
机译:65 nm体CMOS电路的单事件瞬态脉冲宽度测量
机译:130 nm和90 nm CMOS技术中的数字单事件瞬态脉冲宽度的表征
机译:建模CMOS电路对辐射引起的单事件瞬态的敏感性
机译:在高温下采用65 nm体CMOS技术进行单事件瞬态脉冲宽度测量
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:宽带可调集成CMOS脉冲发生器最小脉冲宽度为80ps用于增益转换半导体激光器
机译:基于cmos技术中耦合物理和电气瞬态仿真的单事件闩锁建模