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机译:诸如布置等隧道电流噪声测量中硅纳米线MOSFET中的氧化物边缘捕获密度提取
Indian Inst Technol Roorkee Dept Elect & Commun Engn Roorkee 247667 Uttar Pradesh India;
Indian Inst Technol Roorkee Dept Elect & Commun Engn Roorkee 247667 Uttar Pradesh India;
Logic gates; MOSFET; Noise measurement; Silicon; Current measurement; Semiconductor diodes; Materials reliability; Silicon nanowire FET (SNWFET); noise; oxide traps;
机译:利用超薄氧化物MOSFET的栅极电流低频噪声缓慢提取氧化物陷阱密度分布
机译:从金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极泄漏电流(I_g RTN)中的随机电报噪声中提取陷阱能量和位置
机译:高温下具有隧穿栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中界面陷阱密度提取的改进直流电流电压方法
机译:使用瞬时电流测量检测硅纳米线MOSFET中的电荷陷阱
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:基于陷阱辅助隧穿的超薄氧化物MOSFET的1 / F噪声模型
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究