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机译:工艺变化下基于可达性的鲁棒性验证和SRAM动态稳定性的优化
Design for manufacturability; memory; mixed-mode; performance optimization; simulation; transistor-sizing;
机译:在动态稳定性约束下,通过尺寸调整和电压优化实现的鲁棒SRAM设计
机译:在工艺电压-温度变化的情况下,一个20 nm健壮的单端无升压7T FinFET亚阈值SRAM单元
机译:多级双复制位线延迟技术,用于低压SRAM读出放大器的过程变化鲁棒时序
机译:亚阈值SRAM中位单元稳定性的物理模型,用于PVT变化下的泄漏面积优化
机译:通过质量工程和强大的设计,在药品生产过程中进行优化建模和减少变异。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:温度和电源电压变化对45nm工艺下9T SRAM单元在不同工艺角处稳定性的影响