退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
无;
MOSYS公司; 中芯国际集成电路制造有限公司; 0.18微米标准逻辑工艺; 1T-SRAM存储器; 硅验证;
机译:使用AllianceEDA工具集和基于λ规则的单元库对Rohm0.18μm芯片原型验证布局布线工具进行试验,以进行深亚微米工艺
机译:使用AllianceEDA工具集和基于λ规则的单元库对深亚微米工艺进行Rohm 0.18μm芯片原型验证:试验放置和布线工具
机译:带有平面MOS存储电容的10Mbit,15Gbytes / Sec带宽1T DRAM芯片,用于高密度片上存储器应用的未修改的150nm逻辑工艺中
机译:采用0.18微米硅锗化物BiCMOS工艺实现的高速折叠和插值模数转换器的设计
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:表征采用标准0.18μmCmOs工艺制造的硅雪崩光电二极管,实现高速运行
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:用于对具有验证逻辑的可编程逻辑器件进行编程的方法和装置,该验证逻辑用于将从存储器位置读取的验证数据与程序数据进行比较
机译:将非易失性存储器和逻辑组件合并到用于嵌入式非易失性存储器的单个0.3微米以下制造工艺中的方法
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。