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唐民;
中国电子学会;
中国核学会;
深亚微米器件; 辐射效应; 存储器; 抗总剂量辐射能力; 单粒子预计模型; 核反应町;
机译:CERN混合场辐射环境下深亚微米基于SRAM的FPGA的辐射效应
机译:深亚微米SRAM电路中最坏情况下的总剂量辐射效应
机译:超深亚微米SRAM中的多位设置和错误缓解
机译:NC-SRAM-一种用于超深亚微米设计的低泄漏存储电路
机译:超深亚微米(VDSM)SoC的功耗感知型内存系统设计。
机译:MAPK4删除增强了辐射效应并在宫颈癌中同时进行了PARP1抑制来增强辐射效应和触发协同致死性
机译:嵌入式sRam模块中深亚微米工艺变异效应的能量和延迟影响的系统分析
机译:三维集成sOl sRam电路中的辐射效应。
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译:包括SRAM单元和Flash存储器单元的半导体集成电路装置及其制造方法
机译:超深亚微米工艺中的输入缓冲器
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