机译:一个毫米波可重新配置的片上耦合器,可调谐功率分配比率在0.13- Mu M BICMOS技术中
Univ Technol Sydney Tech Lab Sch Elect & Data Engn Ultimo NSW 2007 Australia;
Sunway Commun Shenzhen 518104 Peoples R China;
Univ Technol Sydney Tech Lab Sch Elect & Data Engn Ultimo NSW 2007 Australia;
South China Univ Technol Sch Elect & Informat Engn Guangzhou 510641 Peoples R China;
South China Univ Technol Sch Elect & Informat Engn Guangzhou 510641 Peoples R China;
5G; millimeter-wave; on-chip tunable device; coupler; phase error; silicon-germanium (SiGe); (Bi) CMOS; power dividing ratio;
机译:采用标准0.13-μmBiCMOS技术的具有部分反射表面的V波段集成片上天线
机译:使用0.13
机译:高效的双频片上天线,可在0.13- $ mu {hbox {m}} $ CMOS技术中进行35和94 GHz无线功率传输
机译:具有可调功率分配比的毫米波可重构片上耦合器
机译:微波和毫米波多频带功率放大器,功率结合网络和发射机前端在硅锗BICMOS技术
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:紧凑型毫米波带通滤波器在0.13 - $ mu $ M(BI)-CMOS技术中使用Quasi-Lumped Elements进行5G无线系统