机译:高T / sub 0 /应变补偿的InGaAsSb-AlGaAsSb量子阱激光器,发射功率为2.43 / spl mu / m
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; gallium compounds; high-speed optical techniques; indium compounds; infrared sources; laser modes; molecular beam epitaxial growth; quantum well lasers; semiconductor growth; thermo-optical effects; valenc;
机译:InGaAsSb-AlGaAsSb分布式反馈激光器的发射功率为1.72 / spl mu / m
机译:应变补偿的1.3- / spl mu / m AlGaInAs量子阱激光器,在包层具有多量子势垒
机译:应变对无Al应变层Ga(In)As(P)-GaInAsP-GaInP量子阱激光器的激光性能的影响,发射波长为0.78> / spl lambda /> 1.1 / spl mu / m
机译:InsSb / AlAsSb双异质结构和InsSb / InAlAs量子阱二极管激光器以/ spl sim / 4 / spl mu / m发射
机译:具有交互式量子阱吸收器的垂直腔面发射激光器:设计和应用。
机译:量子阱宽度对AlGaN深紫外发光二极管在不同温度下的电致发光性能的影响
机译:低阈值应变补偿InGaas(N)(λ=1.19-1.31μm)量子阱激光器
机译:Inassb / Inalas应变量子阱激光器发射4.5微米