机译:透明导电铟锌氧化物薄膜作为垂直结构大功率GaN基发光二极管的电流扩散层的用途
Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, R.O.C.;
Circular transmission line model; electroplating; GaN; indium-zinc oxide (IZO); laser liftoff (LLO); light-emitting diodes (LEDs);
机译:六边形锥和氧化铟锌电流扩散层覆盖的具有圆形凸起的GaN基垂直发光二极管的增强性能
机译:具有透明铟锌氧化物薄膜的基于大功率GaN的发光二极管
机译:用于改善垂直结构的基于GaN的发光二极管的光输出功率的电流扩散和阻挡设计
机译:各向异性激光蚀刻和透明导电层在垂直结构的GaN的发光二极管中缓解电流挤压效应
机译:氧化铟基透明导电氧化物薄膜的金属有机化学气相沉积:前体合成,膜生长和表征及其在聚合物发光二极管器件中的应用。
机译:用于紫外线有机发光二极管的Sb2O3 / Ag / Sb2O3多层透明导电膜
机译:基于氧化物铟锡的透明导电膜的特殊性,用于GaN的发光二极管接触