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机译:通过控制光电化学过程中的照明方向来提高GaN发光二极管的亮度
Department of Material science and engineering, Da-Yeh University, Dacun, Changhua, Taiwan, ROC;
Finite-difference time-domain (FDTD); gallium nitride (GaN); light-emitting diode (LED); photoenhanced electrochemical (PEC);
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:使用无电极光电化学刻蚀增强基于GaN的粗糙发光二极管的光输出
机译:H_2O中光电化学氧化增强GaN基发光二极管的光输出
机译:H
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:在纳米孔GaN层上生长的IngaN / GaN多量子孔发光二极管的增强性能