机译:在具有ZrB_2(0001)缓冲层的Si(111)衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管
机译:掺入InGaN / GaN发光二极管的琥珀色发光量子点的光学性能增强,并且在紫外增强的电化学刻蚀纳米多孔GaN上具有生长
机译:具有InGaN / GaN超晶格和梯度组成的InGaN / GaN超晶格中间层的InGaN发光二极管的性能增强
机译:具有微孔排列的铟锡氧化物层的InGaN / GaN发光二极管的光电性能性能增强
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的光电性能变化:电位波动的影响
机译:V缺陷对势垒层厚度变化的InGaN_GaN多量子阱发光二极管性能下降的影响