...
机译:高铟InGaN / GaN量子阱发光二极管中p-GaN厚度的发射效率依赖性
Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan;
Internal quantum efficiency (IQE); light-emitting diode (LED); p-GaN; quantum-confined Stark effect; thermal annealing;
机译:具有纳米粗糙化的p-GaN表面的基于InGaN / GaN的发光二极管的光提取效率的提高
机译:通过尺寸可控的纳米球光刻技术制造的p-GaN图案化的InGaN / GaN发光二极管的光提取效率
机译:p-GaN层中的Mg涨落及其对取决于p-GaN生长温度的InGaN / GaN蓝色发光二极管的影响
机译:刺激刺激在ingaN / GaN结构中的量子阱厚度依赖性
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响