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机译:通过化学剥离工艺使用图案化氧化物牺牲层的薄膜GaN LED
Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan|c|;
Chemical lift-off; electroplating; epitaxial lateral overgrowth; light-emitting diode (LED); ${rm SiO}_{2}$ strip-patterned;
机译:使用AIN /条状图案的SiO_2牺牲层从Eco-GaN模板化学剥离工艺
机译:通过使用溶液加工金属氧化物作为牺牲层,通过新型剥离工艺进行微图案化溶液衍生的PZT薄膜
机译:使用溶液处理的金属氧化物作为牺牲层的新型剥离工艺对溶胶-凝胶衍生的PZT膜进行精细构图
机译:使用牺牲ZnO模板层将GaN直接键合到玻璃基板上的新工艺,以化学方式将GaN从c-蓝宝石上剥离
机译:通过光化学和分子间反应在金属氧化物薄膜上的单层内进行图案化应用。
机译:通过使用YBA2Cu3O7-X作为牺牲层通过使用YBA2Cu3O7-X自由晶体氧化物薄膜的快速路线
机译:ZnO薄膜用作金属有机气相外延和GaN化学剥离的牺牲模板