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机译:具有垂直场效应晶体管配置的可见区基于并五苯的光电探测器
Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China;
Absorption; Electrodes; OFETs; Pentacene; Performance evaluation; Photodetectors; Vertical organic field-effect transistor (VOFET); organic photodetectors; pentacene; photosensitivity; responsivity;
机译:外围区域对带HfON栅极绝缘体的并五苯有机场效应晶体管电性能的影响
机译:外围区域对带HfON栅极绝缘体的并五苯有机场效应晶体管电性能的影响
机译:刚性和柔性基板上用于场效应晶体管和可见光光电探测器的单晶p型Zn_3As_2纳米线
机译:可见光区域垂直分离的p-n型结的光检测单元的研究
机译:高压常关型平面4H碳化硅垂直结场效应晶体管的设计与制造。
机译:基于有机半导体和CsPbI3钙钛矿纳米棒双层结构的混合场效应晶体管和光电探测器
机译:使用并五苯/ Cupc夹层结构的并五苯基薄膜晶体管的阈值电压显着降低