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机译:1.3μmInGaAsN / GaAs激光器的理论和实验分析
III-V semiconductors; band structure; carrier density; crystal defects; current density; gallium arsenide; indium compounds; optical losses; quantum well lasers; relaxation; semiconductor quantum wells; spontaneous emission; 1.3 mum; InGaAsN-GaAs; InGaAsN/GaAs laser d;
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