机译:1.3μm量子阱InGaAsP,AlGaInAs和InGaAsN激光材料增益:理论研究
infrared sources; laser theory; laser transitions; quantum well lasers; semiconductor device models; 1.3 micron; AlGaInAs; AlGaInAs-AlGaInAs; InGaAsN; InGaAsN-GaAs; InGaAsP; active layer materials; high-speed performance; high-temperature performance; laser material g;
机译:1.3- / spl mu / m量子阱InGaAsP,AlGaInAs和InGaAsN激光材料增益:理论研究
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