机译:1.3- / spl mu / m量子阱InGaAsP,AlGaInAs和InGaAsN激光材料增益:理论研究
Dept. of Electr. & Electron. Eng., Bristol Univ., UK;
laser transitions; infrared sources; quantum well lasers; semiconductor device models; laser theory; InGaAsP; AlGaInAs; InGaAsN; laser material gain; high-speed performance; high-temperature performance; active layer materials; quantum-well material;
机译:1.3μm量子阱InGaAsP,AlGaInAs和InGaAsN激光材料增益:理论研究
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