机译:通过异质外延横向生长技术生长的激光波长为350.9 nm的紫外激光二极管
III-V semiconductors; aluminium compounds; dislocation density; epitaxial growth; gallium compounds; quantum well lasers; semiconductor growth; ultraviolet sources; 10.4 V; 350.9 nm; Al/sub 0.18/Ga/sub 0.82/N template; Al/sub 2/O/sub 3/; GaN-AlGaN; GaN-AlGaN multiqua;
机译:基于Gasb的类型-I量子阱级联二极管激光器以近2μTm波长发射,具有数字种植的藻类梯度层
机译:固体源分子束外延生长的长波长InGaAs-InGaAlAs-InP二极管激光器
机译:基于AlGaN的UV-B激光二极管,在蓝宝石衬底上的1μm周期性凹凸图案ALN波长为290nm
机译:在AlGaN模板上生长波长为350.9 nm的紫外激光二极管
机译:短波长铟铝镓磷化镁井激光器和磷化铟量子点耦合到应变铟铝镓磷化钯量子孔孔孔,由MOCVD种植
机译:基于GaSb增益芯片技术的扫频激光器用于波长为1.7–2.5μm的非侵入式生物医学传感应用
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制