机译:基于InP的应变层量子阱激光器1.3- / splμm/ m的阈值电流温度敏感性的主要机理研究
机译:使用n型调制掺杂的低阈值电流密度1.3- / splμm/ m应变层量子阱激光器
机译:基于InP的1.3- / spl mu / m InP应变层多量子阱激光器在高温下的功率损失
机译:在高温下高效运行基于InP的1.3- / splμm/ m InP应变层多量子阱激光器的设计标准
机译:低透明电流密度,高增益1.3- / splμm/ m应变层InGaAsP / InP量子阱激光材料
机译:银在1.06微米处的激光损伤阈值研究。
机译:高性能三层1.3- / spl mu / m Inas-Gaas量子点激光器,具有极低的连续波室温阈值电流 ud
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)