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AlGalnAs/InP应变多量子阱激光器研究

【摘要】该文分析和报道了高温无制冷激光器的结构及设计考虑,采用AlGaInAs/InP材料所开发的应变多量子阱激光器,其垫垒和势阱间的导带偏移为ΔE〈,c〉=0.72ΔE〈,g〉,比InGaAsP/InP材料系的大,所以能有效地阻止高温下载流子的泄露,提高量子效率,从而改善高温特性。

【作者】李晓良;

【作者单位】中国通信学会;

【年(卷),期】1997(),

【年度】1997

【页码】621-624

【总页数】4

【正文语种】

【中图分类】TN248;

【关键词】量子阱材料;