机译:InGaAsP / InP量子阱增益介质中增益饱和的应变相关性
Dept. of Electr. Eng., Yamagata Univ., Yonezawa, Japan;
indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; surface emitting lasers; quantum well lasers; optical bistability; light polarisation; optical saturation; nonlinear optical susceptibility; valence bands; matrix algebra; semiconductor device;
机译:InGaAsP / InP量子阱增益介质中增益饱和的应变相关性
机译:在ingaASP / INP量子阱增益介质中的增益饱和度的应变依赖性
机译:在ingaASP / INP量子阱增益介质中的增益饱和度的应变依赖性
机译:低透明电流密度,高增益1.3- / splμm/ m应变层InGaAsP / InP量子阱激光材料
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:量子阱数变化对I型InGaAsP / InP纳米异质结构增益特性的影响
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振