机译:InAs-GaAs量子点红外光电探测器的吸收率,载流子寿命和增益
Dept. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI, USA;
indium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; semiconductor quantum dots; photodetectors; infrared detectors; carrier lifetime; k.p calculations; Monte Carlo methods; absorption coefficients; photoconducting devices; InAs-GaAs quantum-dot;
机译:InAs-GaAs量子点红外光电探测器的吸收率,载流子寿命和增益
机译:吸收,载体寿命和在INAS-GaAs量子点红外光电探测器中的增益
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