Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF), Tullastrasse 72, D-79108 Freiburg, Germany;
InAs/(GaIn)Sb superlattices; infrared photodiodes; tunneling current; minority carrier lifetime;
机译:载流子浓度对中波红外InAs / InAsSb超晶格中少数载流子寿命的影响
机译:基于InAs / GaSb超晶格的长波长红外少数电子单极光电探测器的产生-复合和陷阱辅助隧穿
机译:基于InAs / GaSb超晶格的长波长红外少数电子单极光电探测器的产生-复合和陷阱辅助隧穿
机译:INAS /(GAIN)SB超晶格长波长光电探测器的陷阱中心和少数群体寿命
机译:使用实时基线校正方法研究InAs / InAsSb II型超晶格中少数载流子的寿命和运输。
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:在由Inas / Inassb组成的长波红外III-V型II超晶格中观察到的少数载流子寿命显着改善
机译:在由Inas / Inassb组成的长波长红外III-V II型超晶格中观察到显着改善的少数载流子寿命。