机译:GaAs场效应晶体管的小信号非准静态模型,可在SPICE中实现。 I.调制掺杂的场效应晶体管(MODFET)
机译:GaAs场效应晶体管的小信号非准静态模型,可在SPICE中实现。二。金属半导体场效应晶体管(MESFET)
机译:用于高频应用的AlGaAs / GaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)的二维C-V模型
机译:用于90 GHz操作的InGaN-GaN调制掺杂场效应晶体管(MODFET)的设计和分析
机译:拟晶态AlGaAsiin GaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)中的载流子清除限制速度
机译:GaAs场效应晶体管建模。
机译:基于皱纹InGaAs纳米膜的集成敏感片上离子场效应晶体管
机译:磁阻法确定Alxga1-Xas / GaAs调制掺杂的场效应晶体管结构中的GaAs和Alxga1-Xas迁移率
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压