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半導体製造用ナノインプリントリソグラフィ技術の概要と展望

机译:纳米压印光刻技术在半导体制造中的概述与展望

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摘要

半導体リソグラフィでは微細化技術の難易度に伴うコスト高騰により,半導体デバイスの微細化=低コスト化という関係が破綻している。本報告ではテンプレートにパターン形成されたデバイスパターンを直接ウエハに転写して抵コストパターニングを実現するナノインプリントリソグラフィの量産展開に向けた最新の進捗と今後の展望に関して報告する。
机译:在半导体光刻中,由于小型化技术的困难而导致的成本上升打破了半导体装置的小型化=成本降低的关系。在本报告中,我们将报告纳米压印光刻技术的大规模生产的最新进展和未来前景,该技术可通过将模板上形成的器件图案直接转移到晶圆上来实现低成本的图案化。

著录项

  • 来源
    《機能材料》 |2017年第6期|40-47|共8页
  • 作者

    東木達彦;

  • 作者单位

    東芝メモリ(株) メモリ技術研究所 プロセス技術研究開発センター (株)ニューフレアテクロノジー 社外取締役;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:51:06

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