Influence of Semi-Conducting Layers Formation Technology on Electrical Parameters of Si Structures Used in Photovoltaics

摘要

The aim of this work is to present the results of research, which was conducted to verify the possibility of quantum efficiency improvement by the means of ion-implantation. As the object of conducted research, four different samples of silicon solar cells have been chosen. Experiment included measurements of external quantum efficiency, l-V characteristics across certain operating temperature range and SEM imaging. Results have been analyzed in the aspect of ion-implantation applications as the way of introducing improvements in the field of solar cells efficiency.%W artykule zaprezentowano wyniki badań, które zostały przeprowadzone na potrzeby weryfikacji możliwości zwiększenia sprawności kwantowej ogniw fotowoltaicznych za pomocą implantacji jonowej. Jako obiekty badawcze wybrano cztery różne ogniwa słoneczne. Eksperyment uwzględniał pomiary zewnętrznej sprawności kwantowej, charakterystyk prądowo - napięciowych w określonym przedziale temperatur oraz obrazowanie SEM. Wyniki przeanalizowano w aspekcie możliwości zastosowania implantacji jonowej do poprawy sprawności ogniw słonecznych.