System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC

摘要

Węglik krzemu (SiC) jest nowym materiałem półprzewodnikowym, pracującym w temperaturze do kilkuset stopni. Zastosowanie go jako podłoże umożliwia istotne zwiększenia upakowania układów scalonych w stosunku do układów krzemowych, a wiec dalszą ich miniaturyzację. Materiał ten stanowi również bazę do wytwarzania układów dużej mocy, pracujących z dużymi częstotliwościami, a także odpornych na wysoką temperaturę i radiację. Najpowszechniejszą metodą otrzymywania monokryształów SiC jest metoda PVT (ang. Physical Vapour Transport). Wykorzystuje się w niej wysokotemperaturowe piece grafitowe, grzane indukcyjnie lub oporowo, pracujące do temperatury 2400℃.