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机译:使用外延剥离技术在硅衬底上制造的GaAs MESFET的DC和RF性能
Dept. of Electr. Eng., New Jersey Inst. of Technol., Newark, NJ, USA;
III-V semiconductors; Schottky gate field effect transistors; gallium arsenide; leakage currents; molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth; solid-state microwave devices; 1.3 micron; 12 GHz; 135 mS; DC performance; GaAs-Si; MESFET; RF performance; Si; cut-off frequency; device isolation; dielectric; epitaxial lift-off technique; gate length; molecular beam epitaxy grown film; subpicoampere leakage currents; transconductance;
机译:集成亚波长光学纳米结构,以改善通过外延剥离制造的机械柔性GaAs太阳能电池的抗反射性能
机译:使用直接晶圆键合和外延剥离技术制造绝缘体上InGaAs衬底
机译:通过分子束外延制造的GaAs MESFET中的通道-缓冲(衬底)界面现象
机译:硅基砷化镓衬底上制造的数字砷化镓E / D MESFET电路的性能
机译:通过新型衬底表面敏化和活化技术,表面活性剂诱导的化学镀层由表面活性剂诱导化学凝固和活化技术进行PD-AG H2选择性膜的性能
机译:通过使用双转移技术从蓝宝石转移到硅衬底来增强GaN基发光二极管的性能
机译:在用金属晶片键合和外延剥离技术制造的Si衬底上的INAS / GaAs量子点红外光电探测器的微胶囊效应
机译:玻璃和硅衬底上剥离制备alGaas / INGaas单应变量子阱结构的特性