机译:使用GaAs结FET的新型低功耗高速触发器电路
Sony Corp. Res. Centre, Yokohama, Japan;
III-V semiconductors; field effect integrated circuits; flip-flops; gallium arsenide; integrated logic circuits; junction gate field effect transistors; large scale integration; 0.5 micron; 10.8 mW; 7 GHz; GaAs; T-connected; flip-flop circuit; high-speed LSI; junction FETs; logic IC; low power consumption; maximum toggle frequency;
机译:超低功耗高速GaAs准差分开关触发器(QD-FF)
机译:一种新颖的高速锁存操作触发器(HLO-FF)电路及其在使用0.2- / spl mu / m GaAs MESFET的19 Gb / s判定电路中的应用
机译:具有非常浅的结GaAs JFET的高速DCFL电路
机译:一种新颖的高速锁存运算触发器(HLO-FF)电路及其在使用0.2 / spl mu / Gaas Mesfet的19 Gb / s决策电路中的应用
机译:CMOS中高性能MMWAVE电路和低功耗低抖动高速接口电路
机译:用于射频功率检测和低功率接收应用的双功能片上AlGaAs / GaAs肖特基二极管
机译:使用异质沟道mOsFET和隧道FET器件评估低于0.2 V的高速低功率电路
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模