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机译:使用UVIII化学放大的DUV抗蚀剂和PMMA制成T形门
机译:使用PMMA / LOR / UVIII抗蚀剂叠层制造超短T栅极
机译:UVIII化学增强抗蚀剂的纳米分辨率抗蚀剂斜率研究。
机译:电子束纳米光刻技术的AZPF514和UVIII化学放大抗蚀剂的比较研究
机译:首次演示使用由UVIII和PMMA抗蚀剂双层制造的T型栅制成的InAlAs / InGaAs HEMT
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:使用pmma和UVIII的双层制造30nm T栅极高电子迁移率晶体管