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机译:适用于X波段应用的大功率单片AlGaN / GaN HEMT开关
Dept. of Electron. Eng., Univ. di Roma Tor Vergata, Rome;
III-V semiconductors; aluminium compounds; field effect transistor switches; gallium compounds; high electron mobility transistors; wide band gap semiconductors; AlGaN-GaN; X-band; compression phenomenon; frequency 10 GHz; high-power monolithic switch; insertion loss; microstrip technology; power-handling measurements;
机译:适用于X波段应用的大功率单片AlGaN / GaN HEMT开关
机译:基于AlGaN / GaN HEMT的全单片X波段低噪声放大器
机译:大功率单片AlGaN / GaN HEMT振荡器
机译:用于Si(111)衬底上X波段大功率应用的AlGaN / GaN HEMT的新制造工艺
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用