机译:用于电阻乘法器的忆阻异或
University of California, Santa Cruz, CA, USA;
机译:利用新型两个晶体管(2T)XOR门的高速,低功耗8位×8位乘法器设计
机译:使用基于pMOS的3T XOR单元的阵列乘法器
机译:GF(2 m sup>)上的低成本位并行多项式基乘的非XOR方法
机译:低功率近传感器粗到基于精细XOR的忆阻边缘检测
机译:前馈和前馈XOR PUF的抗攻击性和可靠性分析
机译:用于神经形态应用的具有多级电阻开关的基于聚对二甲苯的忆阻器件
机译:基于(CO-Fe-B)X(LINBO3)100-X纳米复合材料的忆内结构中椎体结构反电容性和电阻切换的多丝特性