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Two mask step polysilicon TFT technology for flat panel displays

机译:用于平板显示器的两步掩模多晶硅TFT技术

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摘要

Polysilicon thin film transistors (TFTs) have been fabricated on borosilicate glass with a new, short process. In this process, indium tin oxide (ITO) is used to form the source and drain of the TFTs. The electrical characteristics of these TFTs make them suitable for the realisation of liquid crystal flat panel displays.
机译:多晶硅薄膜晶体管(TFTs)已经以一种新的,短的工艺在硼硅酸盐玻璃上制造出来。在此过程中,氧化铟锡(ITO)用于形成TFT的源极和漏极。这些TFT的电气特性使其适合于液晶平板显示器的实现。

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