MOSFET oder IGBT?

摘要

Der anerkannte Wissensstand in der Leistungselektronik besagt, dass sich IGBTs am besten für niedrige Frequenzen und hohe Spannungen eignen, während MOSFETs besser bei niedrigeren Spannungen und hohen Frequenzen eingesetzt werden. Diese Ansicht behält zwar grundsätzlich ihre Gültigkeit, doch verkomplizieren Verbesserungen auf Halbleiter- und Gehäuseebene die Entwicklung: Sie versetzen beide Bausteintypen in die Lage, in einem immer noch weiteren Bereich von Betriebsbedingungen eine starke Performance aufzuweisen. Um die beste Entscheidung zu fällen, ob ein MOSFET oder ein IGBT einzusetzen ist, sollten Entwickler häufiger beide Ausführungen ernsthaft in Erwägung ziehen und verstehen, wie die jüngsten Generationen jeder Bausteinart sich unter den vorgesehenen Betriebsbedingungen verhalten werden.